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厂商型号

SBCW66GLT1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SS GP XSTR NPN 45V

内部编号

277-SBCW66GLT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:6680
1+¥3.6924
10+¥2.0718
100+¥0.8889
1000+¥0.6838
3000+¥0.5197
24000+¥0.4308
45000+¥0.3829
99000+¥0.3692
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:3000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SBCW66GLT1G产品详细规格

规格书 SBCW66GLT1G datasheet 规格书
BCW/SBCW66GLT1G
SBCW66GLT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
集电极最大直流电流 0.8
最小直流电流增益 50@100uA@10V|110@10mA@1V|160@100m...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 300
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 75
供应商封装形式 SOT-23
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 45
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
系列 *
标准包装 3,000
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
增益带宽产品fT 100 MHz
晶体管极性 NPN
安装风格 SMD/SMT
直流集电极/增益hfe最小值 160 at 100 mA at 1 VDC
直流电流增益hFE最大值 400 at 100 mA at 1 VDC
集电极 - 发射极饱和电压 700 mV
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 VDC
Pd - Power Dissipation 225 mW
发射极 - 基极电压VEBO 5 VDC
集电极 - 基极电压VCBO 75 VDC
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 800 mA
封装/外壳 SOT-23-3
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
品牌 ON Semiconductor
RoHS RoHS Compliant

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